服務器內(nèi)存技術：FB-DIMM

FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM，全緩沖內(nèi)存模組)是Intel在DDR2的基礎上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構，既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯片，也可以搭配未來的DDR3內(nèi)存芯片（已被取消）。FB-DIMM可以極大地提升系統(tǒng)內(nèi)存帶寬并且極大地增加內(nèi)存最大容量。

FB-DIMM技術是Intel為了解決內(nèi)存性能對系統(tǒng)整體性能的制約而發(fā)展出來的，在現(xiàn)有技術基礎上實現(xiàn)了跨越式的性能提升，同時成本也相對低廉。在整個計算機系統(tǒng)中，內(nèi)存可謂是決定整機性能的關鍵因素，光有快的CPU，沒有好的內(nèi)存系統(tǒng)與之配合，CPU性能再優(yōu)秀也無從發(fā)揮。因為CPU運算時所需的數(shù)據(jù)都是從內(nèi)存中獲取，如果內(nèi)存系統(tǒng)無法及時給CPU供應數(shù)據(jù)，CPU不得不處在一種等待狀態(tài)，形成資源閑置，性能自然無從發(fā)揮。

對于普通的個人電腦來說，由于是單處理器系統(tǒng)，目前的內(nèi)存帶寬已經(jīng)能滿足其性能需求；而對于多路的服務器來說，由于是多處理器系統(tǒng)，其對內(nèi)存帶寬和內(nèi)存容量是極度渴求的，傳統(tǒng)的內(nèi)存技術已經(jīng)無法滿足其需求了。這是因為目前的普通DIMM采用的是一種“短線連接”(Stub-bus)的拓撲結構，這種結構中，每個芯片與內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)總線都有一個短小的線路相連，這樣會造成電阻抗的不繼續(xù)性，從而影響信號的穩(wěn)定與完整，頻率越高或芯片數(shù)據(jù)越多，影響也就越大。雖然Rambus公司所推出的的XDR內(nèi)存等新型內(nèi)存技術具有極高的性能，但是卻存在著成本太高的問題，從而使其得不到普及。而FB-DIMM技術的出現(xiàn)就較好的解決了這個問題，既能提供更大的內(nèi)存容量和較理想的內(nèi)存帶寬，也能保持相對低廉的成本。FB-DIMM與XDR相比較，雖然性能不及全新架構的XDR，但成本卻比XDR要低廉得多。 　　

與現(xiàn)有的普通DDR2內(nèi)存相比，F(xiàn)B-DIMM技術具有極大的優(yōu)勢:在內(nèi)存頻率相同的情況下能提供四倍于普通內(nèi)存的帶寬，并且能支持的最大內(nèi)存容量也達到了普通內(nèi)存的24倍，系統(tǒng)最大能支持192GB內(nèi)存。FB-DIMM最大的特點就是采用已有的DDR2內(nèi)存芯片(以后還將采用DDR3內(nèi)存芯片)，但它借助內(nèi)存PCB上的一個緩沖芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高級內(nèi)存緩沖)將并行數(shù)據(jù)轉換為串行數(shù)據(jù)流，并經(jīng)由類似PCI Express的點對點高速串行總線將數(shù)據(jù)傳輸給處理器。 　　

與普通的DIMM模塊技術相比，F(xiàn)B-DIMM與內(nèi)存控制器之間的數(shù)據(jù)與命令傳輸不再是傳統(tǒng)設計的并行線路，而采用了類似于PCI-Express的串行接口多路并聯(lián)的設計，以串行的方式進行數(shù)據(jù)傳輸。在這種新型架構中，每個DIMM上的緩沖區(qū)是互相串聯(lián)的，之間是點對點的連接方式，數(shù)據(jù)會在經(jīng)過第一個緩沖區(qū)后傳向下一個緩沖區(qū)，這樣，第一個緩沖區(qū)和內(nèi)存控制器之間的連接阻抗就能始終保持穩(wěn)定，從而有助于容量與頻率的提升。

騰佑科技IDC服務有雙線服務器租用、網(wǎng)通服務器租用、電信服務器租用。